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簡(jiǎn)單介紹：
ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀,ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀是一種依照類似的國家標(biāo)準(zhǔn)和美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門測(cè)量半導(dǎo)體薄層電阻(面電阻)的新型儀器，可用于測(cè)量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜(ITO透明氧化膜)，金屬薄膜……等同類物質(zhì)的薄層電阻
詳情介紹：
ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀
ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀是一種依照類似的國家標(biāo)準(zhǔn)和美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門測(cè)量半導(dǎo)體薄層電阻(面電阻)的新型儀器，可用于測(cè)量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜(ITO透明氧化膜)，金屬薄膜……等同類物質(zhì)的薄層電阻。
ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀
1、采用九十年代推出的大規(guī)模集成電路作為儀器的主要部分，測(cè)量準(zhǔn)確穩(wěn)定
2、低功耗
3、采用單個(gè)電池供電，帶電池欠壓指示
4、 儀器體積僅為：130mmX65mm X23mm
5、 特制之手握式探筆，球形探針、鍍金探針有效接觸被測(cè)材料及保護(hù)薄膜
6、探頭帶抗靜電模塊
ST-20掌上型方塊電阻測(cè)試儀
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測(cè)量范圍 |
基本量程：方塊電阻10.0-199.9(Ω/口) |
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測(cè)量不確定度 |
≤5% |
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探針規(guī)格 |
探針間距：3.8mm；偏差≤2%；游移率≤0.3%；絕緣電阻≥500MΩ |
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恒流源 |
測(cè)量過程誤差：≤±0.8% |
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電源 |
9V疊層電池1節(jié) |